xrd掠入射(gixrd)检测实验室-半导体单晶xrd---_广州其他分类

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xrd掠入射（gixrd）检测xrd残余应力检测——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，上海xrd掠入射（gixrd）检测，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

阴极荧光谱是利用电子束激发半导体样品，将价带电子激发到导带，xrd掠入射（gixrd）检测平台，之后由于导带能量高不稳定，被激发电子又重新跳回价带，并释放出能量e≤eg（能隙）的特征荧光谱。cl谱是一种无损的分析方法，xrd掠入射（gixrd）检测服务，结合扫描电镜可提供与形貌相关的高空间分辨率光谱结果，是纳米结构和体材料的分析工具。利用阴极荧光谱，可以在进行表面形貌分析的同时，研究半导体材料的发光特性，尤其适合于各种半导体肼、线、点等纳米结构的发光性能的研究。

例如，对于氮化镓单晶，由于阴极萤光显微镜具有高的空间分辨率并且具有无损检测的优点，因此将其应用于位错密度的检测已经是行业内广泛采用的方法。目前也制定了相应的标准。

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侧倾法

侧倾法的衍射几何特点是平面与测角仪2θ扫描平面垂直。由于2θ扫描平面不再占据ψ角转动空间，二者互不影响，ψ角设置受任何---。优点:

·扫描平面与ψ角转动平面垂直，在各个ψ角衍射线经过的试样路程近乎相等，因此不必考虑吸收因子的影响；

·由于ψ角与2θ扫描角互不---，因而增大这两个角度的应用范围;

·衍射几何对称性好，有效减小散焦的影响，---衍射谱线的对称性。

缺点:

ψ角与2θ角占据互相垂直的两个平面，需要足够的空间。对角焊缝、齿根等的应力测试比较困难。

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如何在origin上标记xrd图上的星号

1、选中卡片，然后双击-->;弹出的文本框即为标准卡片信息，从中可以看到晶面间距d，晶面指数（hkl）以及标准衍射峰位2 theta等信息-->;选中export，可以将标准卡片中的信息导出为txt文件。

2、从txt中找到标准谱图所需要的信息：2 theta和i(f)值，然后将其copy到origin里面，设置2theta 为x轴数据，i(f)为y轴数据，如图2所示

3、选中a(x1)和b(y1)做折线图，并对谱图进行优化（线粗细：3.0，类型：b-spline; 坐标轴线粗细：3.0，字体大小：28），得到zno的xrd谱图

4、---菜单栏中graph-->;new layer(axe) -->;(linked) top x + right y，xrd掠入射（gixrd）检测实验室，添加新图层。然后右键---“图层2”-->; layer content，将d(y2)添加为layer content

5、双击图层2中所出现的折线图，在弹出的plot o details菜单中，将plot type改为 scatter; ---右侧菜单中drop lines选项，勾选vertical，同时将线宽调整为3；再---symbol选项，将size改为0

6、调整图层2的横坐标范围，使横轴范围与图层1一致；调整图层2的纵坐标范围，让标准卡片处于适合的位置；美化谱图，然后在图中注明标准卡片的编号

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