单晶xrd检测半导体xrd检测——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要---半导体产业发展的应用技术研究,---重大技术应用的基础研究,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。
薄膜应力作为半导体制程、mems微纳加工、光电薄膜镀膜过程中性能测试的必检项,其测试的精度、重复性、效率等因素为业界所重点关注。对应产品目前业界有两种主流技术流派:1)以美国fsm、kla、toho为代表的双激光波长扫描技术(线扫模式),单晶xrd检测多少钱,尽管是上世纪90年代技术,但由于其简单,适合常规fab制程中进行快速qc,至今仍广泛应用于相关工厂。2)以美国ksa为代表的mos激光点阵技术,抗环境振动干扰,湖北单晶xrd检测,精于局部区域内应力测量,这在研究局部薄膜应力均匀分布具有特定意义。线扫模式主要测量晶圆薄膜整体平均应力,监控工序工艺的重复性有意义。但在监控或精细分析局部薄膜应力,激光点阵技术具有特殊优势,比如在mems压电薄膜的应力和缺陷监控。
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还有人想出另一个点子,通过“极密度”来计算原来强峰(因为存在择优取向变得不强了)应当有的强度。这个方法虽然说起来简单,但操作起来比较麻烦。实验时要采用较短波长的x射线,尽可能多地测量到物相的衍射线数。如果把计算方法编写成程序,就会变得简单一些。这不是一般科研---所要做的事情。甚至有些人连极密度是什么东西都不了解,怎么去做这个工作呢?(实在想知道,可以参考写有“织构”内容的x射线衍射教材)。办法总是人想出来的,你也可以参考相关的文献,想出自己的办法来。虽然,不管使用什么办法,都很难得到真正的结果,但总比不作任何处理要好一些。
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请问知道晶体的结构和晶格参数能模拟它的 x 衍射谱线吗?
xrd 衍射强度和峰的宽度与样品颗粒大小,还是与晶体颗粒大小有关?
样品中晶粒越小,衍射峰的峰高强度越来越低,但是峰越来越宽,实际上利用 x 射线衍射峰的宽化对样品的结晶颗粒度分析就是根据这个原理的(scherrer公式)。
晶粒大小和颗粒大小有关系,但是其各自的含义是有区别的。一颗晶粒也可能就是一颗颗粒,但是更可能的情况是晶粒抱到一起,单晶xrd检测费用多少,二次---,成为颗粒。颗粒不是衍射的基本单位,但是微小的颗粒能产生散射。你磨的越细,散射就越强。对于晶粒, 你磨过头了, 晶体结构被破坏了, 磨成非晶, 衍射能力就没有了。磨得太狠的话,有些峰可能要消失了,而且相邻较近的衍射峰会由于宽化而相互叠加,终会变成1 个或几个鼓包。一般晶面间距大的峰受晶粒细化的影响会明显一些,因d值大的晶面容易被破坏。
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