xrd残余应力检测半导体xrd检测——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
我们为什么能利用衍射谱来做物相的含量分析呢？
其原理就是基于物相的含量w与该物相的衍射强度成正比。
可以简单地写成w=ci。ｗ是物相的分数，ｉ是该物相的衍射强度。ｃ是一个系数，但不是一个常系数。不过，在一定条件下它是一个常数。---的是，这个常数通常不能通过理论计算得出，而是需要通过实验来测量。每当实验条件改变(包括样品中的物相种类的改变、任一物相含量的改变、观察峰的改变、甚至于物相产地改变、所用辐射改变、晶粒尺寸改变……如此等等，不一而足)这个系数是变化的。
围绕如何想办法得到这个系数ｃ，xrd残余应力检测分析，历代的---和小师推导出了十几种具体的测量方法。而这些方法又是在某种环境下能使用在另一种环境下不能使用的。每种方法的不同要求等于给实验方法本身加上了一把锁，使得人们不能真正好好地、简便地利用它。
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x-射线照射到超细粉末颗粒（粒径小于几百埃，不管其是晶体还是非晶体）也会发生相干散射现象，也发生在低角度区。但是由微细颗粒产生的相干散射图的特征与上述的由---晶面间距或薄膜产生的小角 x 射线衍射图的特征完全不同。小角衍射，一般应用于测定---晶面间距或薄膜厚度以及薄膜的微观周期结构、周期排列的孔分布等问题；小角散射则是应用于测定超细粉体或疏松多孔材料孔分布的有关性质 。
x-射线照射到样品上还会发生非相干散射，其强度分别也主要集中在在低角度范围，康普顿散射就属于此类，其结果是增加背景。
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如何由xrd 图谱确定所做的样品是准晶结构？xrd 图谱中非晶、准晶和晶体的结构怎么严格区分？
三者并无严格明晰的分界。
在衍射仪获得的 xrd 图谱上，如果样品是较好的晶态物质，图谱的特征是有若干或许多个一般是彼此独立的很窄的尖峰（其半高度处的2θ宽度在 0.1°~0.2°左右，xrd残余应力检测多少钱，这一宽度可以视为由实验条件决定的晶体衍射峰的小宽度）。如果这些峰明显地变宽，则可以判定 样品中的晶体的颗粒尺寸将小于 300nm，可以称之为微晶。晶体的 x 射线衍射理论中有一个scherrer公式:
可以根据谱线变宽的量估算晶粒在该衍射方向上的厚度。
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