algan材料xrd检测半导体xrd检测——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要---半导体产业发展的应用技术研究,---重大技术应用的基础研究,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。
由于有标法很难用,因此有人就着手研究“无标法”了。这些方法通过理论计算k(就是上式中c的一部分),或者按某种方法直接比强度。由于晶体结构的复杂性,理论计算c的可能性很小,目前实用的大概只有“钢中残留奥氏体的测量”(有)。直接比强度法理论是可行的。但是,也附加了很多种条件。比如,要测的样品中有两个相,需要另外提供一个也含有这样两个相(多一个或少一个都不行),含量又不同于待测样的附加样品。通过理论计算还是可以的。比如还原co粉时,通常都同时存在两种结构的co相(立方和六方)。如果刚好有一批这样的样品,就可能用这种方法来做含量计算,但是,老天保佑,千万别被氧化了,如果样品中还含有氧化钴,麻烦就来了。当然,如果,样品中含有10个相,就得至少提供这样的10个样品。想想,好不容易弄出一个样品来,还要另外去找9个相似的样品(都含有10个相同的相,而且含量不能相同),有可能吗?真不可能! 说了这些困难,也就是为了告诉你一个事实,为什么一般实验室在做物相鉴定时说得头头是道,而你想测物相含量时,algan材料xrd检测平台,他只有两个字回答你:不做!
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xrd 峰整体向右偏移是什么原因造成的?
可能是离子半径小的元素取代了离子半径大的元素。
也可能是你制样时,样品表面高出了样品座平面或者仪器的零点不准造成的,建议你---标样来修正你的数据。
把样品靠后放置,使样品偏离测角仪中轴大概有 1mm,请问衍射峰会怎么变化?
峰位移向低角度。样品表面偏离测角仪转轴 0.1mm,衍射角的测量将产生约 0.05度(2θ)的误差(对 cu 靶,在 2θ 20度附近的位置)。
影响仪器测量结果的分辨率仅仅取决于θ吗?
影响仪器测量结果的分辨率的因素是多方面的:测角仪的半径;x 射线源的焦斑尺寸;光学系统的各种狭缝的尺寸;仪器调整情况(2:1 关系);采数步宽;样品定位情况等。
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四探针测试仪是用来测量半导体材料(主要是硅单晶、锗单晶、硅片)电阻率,以及扩散层、外延层、ito导电箔膜、导电橡胶方块电阻等的测量仪器。
测量半导体电阻率方法的测量方法主要根据掺杂水平的高低,半导体材料的电阻率可能---。有多种因素会使测量这些材料的电阻率的任务复杂化,包括与材料实现---接触的问题。特殊的探头设计用于测量半导体晶片和半导体棒的电阻率。这些探头通常由诸如钨的硬质金属制成,并接地到探头。在这种情况下,algan材料xrd检测报告,接触电阻---,必须使用四点共线探针或四线绝缘探针。两个探针提供恒定电流,另外两个探针测量整个样品一部分的电压降。通过使用所测电阻的几何尺寸来计算电阻率。< br />;< br />;著作权归作者所有。
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