半导体xrd物相分析-锂电xrd检测平台

锂电xrd检测——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

掠入射xrd技术是一种用于材料表征和结构分析的xrd技术。它是通过将x射线的入射角度调整到非常小的角度（通常小于1度）来实现的。这样做可以使x射线与样品表面的交互作用化，从而获得更详细的结构信息。由于掠入射xrd技术所使用的角度非常小，因此它需要特殊的仪器和样品制备方法，以便进行实验。

掠入射xrd技术在材料科学中有许多应用，例如晶体生长、薄膜制备、界面化学、表面催化和生物材料等领域。其中，薄膜制备是掠入射xrd技术的主要应用之一。掠入射xrd技术可以用来研究薄膜的结构、晶格取向、纳米结构等特性。通过这种方法，可以确定薄膜的晶体结构和缺陷结构，并且可以帮助优化薄膜的性能。

掠入射xrd技术还可以用于表面化学和催化研究。表面催化是一种重要的反应方式，它通过催化剂表面上的活性位点来促进化学反应。掠入射xrd技术可以帮助研究催化剂表面的结构和催化剂与反应物之间的相互作用。这对于优化催化剂的性能和理解化学反应机理非常重要。

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xrd图谱显示石墨样品显示出两个主要衍射峰（2θ=26.36和44.32?)， 晶格间距分别为3.38?和2.04?。对于pan硬质碳样品，还观察到两个主要的宽而---的xrd衍射峰，表明pan硬质碳具有低结晶度的无定形结构。随着炭化温度的升高，衍射峰向小角度移动。对于碳化温度为1050℃样品，在24.78和43.29处的衍射峰观察到晶格间距分别为3.59 ?和2.09?。与石墨相比，pan硬碳的衍射角较小，锂电xrd检测实验室，相应的层间距较大，层间距相较于石墨变宽，为嵌入和去除锂离子提供了宽敞的通道。将所得pan硬质碳用作锂离子电池的负极材料，其初始容量为343.5 mah g?1，与石墨电极（348.6 mah g–1）的初始容量相等，初始库仑效率比石墨电---。并且pan硬碳电极在不同电流速率下表现出优异的循环稳定性和倍率性能。

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