xrd掠入射(gixrd)检测xrd残余应力检测——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要---半导体产业发展的应用技术研究,---重大技术应用的基础研究,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。
残余应力的产生
●残余应力是材料中发生了不均匀的弹性变形或不均匀的弹塑性变形而引起的,或者说是材料的弹性各向---和塑性各向---的反映
●单晶体材料是一个各向---体
●多相多晶体材料在宏观上表现出“伪各向同性”
●在微区,由于晶界的存在和晶粒的不同取向,弹塑性变形总是不均匀的
●冷热变形时沿截面弹塑性变形不均匀
●工件加热、冷却时不同区域的温度分布不均匀,导致热胀冷缩不均匀
●热处理时不均匀的温度分布引起相变过程的不同时性
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为了掌握x射线衍射残余应力测定技术,有---其方法进行归纳。
x射线衍射残余应力测定方法分类
(1) x射线衍射残余应力测定方法可分为sin2ψ法、cosα法。
(2) sin2ψ法按照残余应力计算方法分类,可分为2θ法、d值法、应变法。
(3) sin2ψ法按ψ与2θ的几何关系分类,可分为同倾法、侧倾法。
(4) 按x射线管、计数管扫描方式可分为固定ψ0法,固定ψ法。
(5) 侧倾法又可分为标准的侧倾法、修改的侧倾法、侧倾固定ψ法。
(6) 测定剪切应力τφ采用的正负ψ测定法。
(7) x射线衍射法一般是测方向的应力,xrd掠入射(gixrd)检测测试,也有点的主应力测定法。
(8) 摆动法可分为ψ0摆动法、ψ摆法、德拜环摆动法、φ角摆动法和x/y往复平移法等。
(9) 从衍射几何分类,有---法、准---法和平行光束法。
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晶片冷却温度是半导体低温工艺的一项重要技术参数,晶片冷却过程中的低温温度要求按照设定值进行准确控制。尽管大多数低温制冷系统都具有温度控制功能,可通过外部温度传感器、调节回路和控制器组成的闭环回路实现低温温度控制,调节回路基本都是通过调节制冷剂流量和膨胀方式,有些则通过辅助加热方式进行温度控制,xrd掠入射(gixrd)检测实验室,但这些温控方式普遍结构复杂且控温精度不高,山西xrd掠入射(gixrd)检测,---是在多个晶片同时冷却的半导体设备中这些问题更是---。
针对上述半导体低温工艺中制冷系统在压力和温度控制中存在的问题,xrd掠入射(gixrd)检测平台,本文将提出一种更简便有效的解决方案。解决方案的是在晶片托盘上并联一个流量可调旁路,使制冷剂在流入晶片托盘之前进行部分短路。即通过旁路流量的变化调节流出晶片托盘的制冷剂压力,一方面---制冷剂低压工作状态,另一方面实现晶片温度的---控制。
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