锂电xrd检测半导体xrd检测——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要---半导体产业发展的应用技术研究,---重大技术应用的基础研究,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。
在teau 退火条件下的晶圆边缘产生了高密度缺陷,导致了晶圆边缘的应变集中区。每条缺陷对应于每条滑移带。这些滑移带都是<011>;取向,对应于四个倾斜的{111}滑移面上1/2<110>;的柏格斯矢量。通过选区高分辨率模式的xrdi测量结果可发现更小的滑移带,也都是对应于<011>;取向。这些滑移带都是起源于晶圆的边缘,然后向晶圆的内部扩散。
在spike 退火条件下的晶圆的左下方边缘只有少数尺寸很小的缺陷。这些缺陷需要在倍率的xrdi下才能看清楚。一些研究表明,在1320k以下晶圆没有明显的滑移线出现。当温度大于1320k的时候,滑移线开始明显增加,而且与退火时间成一定的线---。这也与一些原位试验的结果一致。当温度升高,位错会加速扩展并形成大的滑移带。这些表明,在该spike退火条件下,晶圆边缘有一定的位错源,但是位错的扩散得到了---的阻止。
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结晶度的计算实际上就是一种特殊的定量分析,其原理出自一个。知道怎么做定量,当然也会做结晶度的计算。
如果你还想知道得更多,比如无标样定量分析方法等等,可以参考李树棠老师的书,一本很老的书,我们当时的教材,叫做<金属x射线衍射与电子显微分析技术 1>在晶体之星可以到。后来,这本书叫做<晶体x射线衍射学基础>,冶金工业出版社出版,好象网上还没有电子版。也许书店有得卖。另外有一本叫做
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有没有---的办法?
历史在前进,技术在进步。60年代就有人(riteveld)提出用“全谱拟合”的思想。所谓全谱拟合,就是用一个假想的函数来拟合实测的衍射谱。通过一步一步地迭代,江西锂电xrd检测,使假想函数与实测线形的差别达到可能的小值。
这个过程中,首先要输入的是样品中每个物相的晶体结构,通常需要精细的晶体结构,包括原子位置等等。考虑的因素也很多,比如晶格畸变、微观应变、原子错位等等。一步一步地进行,总会得到一个终的值。
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